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La dimensione del mercato dei discreti di potenza dovrebbe raggiungere i 22,71 miliardi di dollari con un CAGR del 5,42% entro il 2028.

Dimensioni del mercato: 14,92 miliardi di dollari nel 2020, crescita del mercato - CAGR del 5,42%, tendenze del mercato: uso globale di IGBT discreti a base di silicio.

globale dei discreti di potenza raggiungerà i 22,71 miliardi di dollari entro il 2028. Ciò può essere principalmente associato alla domanda in costante crescita di IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors), l’uso di IGBT discreti a base di silicio che migliora l’efficienza dei dispositivi elettronici che vanno dall’elettronica di consumo all’elettronica di potenza. Lo scopo degli IGBT a base di silicio aggiunge significativamente al progresso dell’elettronica di potenza. Sulla base delle statistiche, l’aumento della domanda di IGBT aumenterà la crescita del mercato. Con l’aumento del fabbisogno energetico in tutto il mondo, l’infrastruttura della rete elettrica viene rinnovata per generare più energia, distribuirla e trasmetterla in modo efficiente e controlla il consumo secondo le richieste dell’utente finale, spingendo così la sua esigenza nel mercato globale dell’energia discreta. Nel settore dell’aviazione industriale, i dispositivi discreti di potenza tecnologicamente avanzati stanno guadagnando popolarità per soddisfare il contenuto elettronico sempre crescente negli aerei di nuova generazione.

L’APAC rappresenta la quota maggiore del 23,50% nel 2020, incoraggiata da un maggiore spostamento nel settore automobilistico con pratiche tecnologicamente avanzate in questa regione.

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 Ulteriori risultati chiave del rapporto suggeriscono che

  • la crescente domanda di IGBT (transistor bipolare a gate isolato) sta aiutando a una crescita significativa del mercato dei discreti di potenza con la quota maggiore del 25,28% nel 2020. I dispositivi discreti di potenza sono un tipo di dispositivi a semiconduttore che sono utilizzato come interruttore nell’elettronica di potenza. Ad esempio, un alimentatore a commutazione può essere un esempio di dispositivo di alimentazione discreto.
  • La domanda in costante crescita di IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) è uno dei principali fattori che guidano il mercato dei discreti di potenza. L’uso di IGBT discreti a base di silicio migliora l’efficienza dei dispositivi elettronici che vanno dall’elettronica di consumo all’elettronica di potenza. Lo scopo degli IGBT a base di silicio aggiunge significativamente al progresso dell’elettronica di potenza.
  • Il settore automobilistico del mercato dei componenti discreti di potenza rappresenta la quota maggiore del 31,90% del mercato nel 2020. A causa della crescente domanda di automobili in varie regioni del mondo, è predominante aumentare la produzione di ogni componente di un’automobile e sistemi discreti di potenza. Offre inoltre possibilità disponibili per realizzare dispositivi di controllo di motori ibridi e soddisfare la crescente domanda.
  • Nel settore della sicurezza e della difesa, la sicurezza e l’adattabilità offerte dal power discreti sono estremamente utili per radar e altre guerre automatizzate, armi autonome, sistemi di guida e controllo, inclusa la comunicazione sicura.
  • Il settore medico si è anche sviluppato come potenziale industria di uso finale per i venditori nel mercato globale dei discreti di potenza e si prevede che crescerà a un CAGR del 5,8% durante il periodo di previsione, grazie all’applicazione di dispositivi RF impiantabili e ingeribili, diagnostica e apparecchiature di monitoraggio, apparecchiature di risonanza magnetica (MRI), telemetria wireless, dispositivi di monitoraggio a radiofrequenza (RF) wireless indossabili. Power discrete crea prodotti profondamente affidabili e ad alte prestazioni che aiutano a migliorare la cura del paziente e la qualità della vita.
  • L’aumento accelerato della domanda di SiC in vari paesi in via di sviluppo come Brasile, Cina, Russia, Indonesia e India ha portato la regione RoW e l’APAC a offrire opportunità vaste e redditizie agli operatori del mercato per capitalizzare di più.
  • Si stima che altre regioni come il Nord America registrino un CAGR del 5,6%, durante il periodo di previsione.
  • I partecipanti chiave includono Infineon Technologies AG, ST Microelectronics NV, Mitsubishi Electric Corp., International Rectifier, ON Semiconductor Corp Vishay Intertechnology Inc., Vectron International, Fairchild Semiconductor International Inc., Toshiba Corp., Siward Crystal Technology, Fuji Electric Co Ltd, Renesas Electronics Corp e Tongfang Guoxin Electronics tra gli altri

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Ai fini di questo rapporto, Rapporti e dati hanno segmentato il mercato globale dei discreti di alimentazione in base a prodotto, applicazione, utenti finali, gamma e regione:

prospettive del prodotto (volume, migliaia di unità e entrate, miliardi di dollari; 2020-2028)

  • transistor bipolare a gate isolato (IGBT)
  • gallio Nitruro (GaN)
  • Raddrizzatori di potenza
  • Ossido di metallo Semiconduttore Transistor ad effetto di campo (MOSFET)
  • Carburo di silicio (SiC)

Prospettive per l’utente finale (volume, migliaia di unità; e ricavi, miliardi di dollari; 2020-2028)

  • EV/HEV
  • a energia rinnovabile
  • azionamento di motori industriali

Prospettive applicativee entrate, miliardi di dollari; 2020-2028)

  • Automotive
  • Consumer
  • Medical
  • Telefoni cellulari e infrastrutture
  • Lighting 

Range Outlook (Volume, Thousand Units; and Revenue, USD Billion; 2020-2028)

  • Less than
  • 100V 100V to 600V
  • 600V to 200V
  • 1200V

Regional Outlook (Volume, Kilo Tons; and Revenue, USD Billion; 2020-2028)

  • North America
  • Europe
  • Asia Pacific
  • Latin America
  • MEA

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